产品详细
BD237G

制造商: ON Semiconductor
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 符合
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-225-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 80 V
集电极—基极电压 VCBO: 100 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—射极饱和电压: 0.6 V
最大直流电集电极电流: 2 A
Pd-功率耗散: 25 W
增益带宽产品fT: 3 MHz
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: BD237
封装: Bulk
高度: 11.04 mm
长度: 7.74 mm
技术: Si
宽度: 2.66 mm
商标: ON Semiconductor
集电极连续电流: 2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 40
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 500
子类别: Transistors
单位重量: 680 mg

 

产品参数仅供参考,详细内容请参照原厂说明,欢迎来电咨询!

 

 

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销售客服

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