产品详细
BSS123LT1G

制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 170 mA
Rds On-漏源导通电阻: 6 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.6 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 225 mW
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
高度: 0.94 mm
长度: 2.9 mm
产品: MOSFET Small Signal
系列: BSS123L
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
宽度: 1.3 mm
商标: ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值: 80 mS
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 40 ns
典型接通延迟时间: 20 ns
单位重量: 8 mg

 

产品参数仅供参考,详细内容请参照原厂说明,欢迎来电咨询!

 

 

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销售客服

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