产品详细
IXFH120N20P

制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 120 A
Rds On-漏源导通电阻: 22 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V
Qg-栅极电荷: 152 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 714 W
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
配置: Single
高度: 21.46 mm
长度: 16.26 mm
系列: IXFH120N20P
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: PolarHT HiPerFET Power MOSFET
宽度: 5.3 mm
商标: IXYS
正向跨导 - 最小值: 40 S
下降时间: 31 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 35 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 100 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
单位重量: 6 g

 

产品参数仅供参考,详细内容请参照原厂说明,欢迎来电咨询!

 

 

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销售客服

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