产品详细
IXFH150N20

制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 150 A
Rds On-漏源导通电阻: 15 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 177 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 890 W
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
配置: Single
系列: IXFH150N20
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: IXYS
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
单位重量: 6 g

 

产品参数仅供参考,详细内容请参照原厂说明,欢迎来电咨询!

 

 

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销售客服

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