产品详细
STB80NF55-06T4

制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 80 A
Rds On-漏源导通电阻: 6.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 189 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 65 ns
正向跨导 - 最小值: 150 S
高度: 4.6 mm
长度: 10.4 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 155 ns
系列: STB80NF55, STP80NF55
1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 125 ns
典型接通延迟时间: 27 ns
宽度: 9.35 mm
单位重量: 4 g

 

产品参数仅供参考,详细内容请参照原厂说明,欢迎来电咨询!

 

 

上一条: 下一条:

   

销售客服

销售客服

销售客服