产品详细
STD4NK60Z-1

制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-251-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 4 A
Rds On-漏源导通电阻: 2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 26 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 70 W
通道模式: Enhancement
商标名: SuperMESH
封装: Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 16.5 ns
高度: 6.2 mm
长度: 6.6 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 9.5 ns
系列: STD4NK60Z-1
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 29 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
宽度: 2.4 mm
单位重量: 340 mg

 

产品参数仅供参考,详细内容请参照原厂说明,欢迎来电咨询!

 

 

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销售客服

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