产品详细
STD8NM60N

制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 7 A
Rds On-漏源导通电阻: 650 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, + 25 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 70 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 10 ns
高度: 2.4 mm
长度: 6.6 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 12 ns
系列: STx8NM60N
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 40 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
宽度: 6.2 mm
单位重量: 330 mg

 

产品参数仅供参考,详细内容请参照原厂说明,欢迎来电咨询!

 

 

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销售客服

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