产品详细
STD12NF06LT4

制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 12 A
Rds On-漏源导通电阻: 90 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 7.5 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 30 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: STripFET
封装: Reel
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 13 ns
高度: 2.4 mm
长度: 6.6 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 35 ns
系列: STD12NF06LT4
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel Power MOSFET
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 20 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
宽度: 6.2 mm
单位重量: 330 mg

 

产品参数仅供参考,详细内容请参照原厂说明,欢迎来电咨询!

 

 

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销售客服

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