产品详细
STF10N65K3

制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 10 A
Rds On-漏源导通电阻: 750 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 42 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 35 W
通道模式: Enhancement
商标名: SuperMesh
封装: Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 35 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 14 ns
系列: STF10N65K3
1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 44 ns
典型接通延迟时间: 14.5 ns
单位重量: 2 g

 

产品参数仅供参考,详细内容请参照原厂说明,欢迎来电咨询!

 

 

上一条: 下一条:

   

销售客服

销售客服

销售客服